NVH040N65S3F-HXY_TO-247_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：電流ID:49A 參數2：電壓VDSS:650V 參數3：RDON:33mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本款N溝道場效應管（MOSFET）采用高性能工藝設計，具備優良的導電能力和穩定性。其主要參數包括：漏極電流ID為49A，漏源電壓VDSS達650V，導通電阻RDON低至33mΩ，能夠在高電壓和大電流環境下實現高效運行。器件結構優化，適用于電源轉換、充電控制、能源管理等各類電子系統中的高頻開關應用，滿足對效率與可靠性有較高要求的設計場景。
