NVH040N65S3F-HXY_TO-247_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：電流ID:49A 參數(shù)2：電壓VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:33mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
本款N溝道場效應(yīng)管（MOSFET）采用高性能工藝設(shè)計，具備優(yōu)良的導(dǎo)電能力和穩(wěn)定性。其主要參數(shù)包括：漏極電流ID為49A，漏源電壓VDSS達650V，導(dǎo)通電阻RDON低至33mΩ，能夠在高電壓和大電流環(huán)境下實現(xiàn)高效運行。器件結(jié)構(gòu)優(yōu)化，適用于電源轉(zhuǎn)換、充電控制、能源管理等各類電子系統(tǒng)中的高頻開關(guān)應(yīng)用，滿足對效率與可靠性有較高要求的設(shè)計場景。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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