MSC750SMA170SA-HXY_TO-263-7L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-263-7L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：800/圓盤 參數1：電流ID:6A 參數2：電壓VDSS:1700V 參數3：RDON:700mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本款N溝道碳化硅場效應管（MOSFET）采用寬禁帶半導體材料，具備出色的高溫與高頻率工作性能。其主要參數包括：漏極電流ID為6A，漏源電壓VDSS高達1700V，導通電阻RDON為700mΩ。高耐壓特性使其適用于高壓電源轉換和功率開關電路，在高頻應用中表現出優異的效率與穩定性。該器件適合用于高性能電源、新能源系統以及精密電子設備中的功率控制單元，滿足對可靠性與能效有較高要求的電路設計需求。
