SQD50034E_GE3-HXY_TO-252-2L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：電流ID:130A 參數(shù)2：電壓VDSS:60V 參數(shù)3：RDON:3mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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本款N溝道場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）具有優(yōu)異的電性能和穩(wěn)定性，適用于多種高效能場(chǎng)景。其主要參數(shù)包括：漏極電流ID為130A，漏源電壓VDSS為60V，導(dǎo)通電阻RDON低至3mΩ，柵源電壓VGS為20V。低導(dǎo)通電阻有效降低功耗并提升效率，同時(shí)高電流與高電壓耐受能力確保其在復(fù)雜環(huán)境中的可靠性表現(xiàn)。該器件廣泛應(yīng)用于電源管理、高效能轉(zhuǎn)換器及負(fù)載開關(guān)等電路設(shè)計(jì)中，滿足對(duì)小型化與高性能有要求的電路架構(gòu)需求。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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