DMTH6004SK3-13-HXY_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：電流ID:130A 參數(shù)2：電壓VDSS:60V 參數(shù)3：RDON:3mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
本產(chǎn)品為N溝道增強型場效應(yīng)管（MOSFET），具備130A的連續(xù)漏極電流（ID）與60V的漏源擊穿電壓（VDSS），適用于高功率密度電路設(shè)計。導(dǎo)通電阻（RDON）低至3mΩ，有效降低導(dǎo)通損耗，提高系統(tǒng)整體效率。支持最高20V柵源電壓（VGS），保障器件在復(fù)雜工況下的穩(wěn)定運行。該器件可廣泛應(yīng)用于高性能電源、同步整流、電池管理及高效DC-DC轉(zhuǎn)換電路中，滿足對效率、可靠性要求較高的電子系統(tǒng)設(shè)計需求。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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