HUF75332P3-HXY_TO-220C_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220C 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：電流ID:60A 參數2：電壓VDSS:60V 參數3：RDON:12mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本款N溝道場效應管（MOSFET）具備以下關鍵參數：最大漏極電流ID為60A，漏源擊穿電壓VDSS為60V，導通電阻RDON僅為12mΩ，柵源電壓VGS支持最高20V。該器件適用于多種高功率密度電路設計，如電源管理、電機驅動、開關電源及電池管理系統，具備快速開關響應和低導通損耗特性，滿足高頻應用場景對穩定性和效率的嚴苛要求，是構建高性能電子系統的關鍵元件。
