HUF75332P3-HXY_TO-220C_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:TO-220C 類別:場效應管(MOSFET) 最小包裝:50/管裝 參數1:電流ID:60A 參數2:電壓VDSS:60V 參數3:RDON:12mR 參數4:溝道類型:N 標價:歡迎咨詢
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產品介紹
本款N溝道場效應管(MOSFET)具備以下關鍵參數:最大漏極電流ID為60A,漏源擊穿電壓VDSS為60V,導通電阻RDON僅為12mΩ,柵源電壓VGS支持最高20V。該器件適用于多種高功率密度電路設計,如電源管理、電機驅動、開關電源及電池管理系統,具備快速開關響應和低導通損耗特性,滿足高頻應用場景對穩定性和效率的嚴苛要求,是構建高性能電子系統的關鍵元件。
