C1M40120J_TO-263-7L_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-263-7L 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：800/圓盤 參數(shù)1：電流ID:68A 參數(shù)2：電壓VDSS:1200V 參數(shù)3：RDON:40mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
這款碳化硅場效應(yīng)管（MOSFET）具有68A的最大電流承載能力（ID），能夠承受高達(dá)1200V的漏源電壓（VDSS），展現(xiàn)出了卓越的耐壓性能。其導(dǎo)通電阻（RDSON）僅為40毫歐，意味著在導(dǎo)通狀態(tài)下能有效減少能量損耗，提升系統(tǒng)的整體效率。作為一款N溝道類型器件，它適用于要求嚴(yán)苛的電源轉(zhuǎn)換場景中，如高性能計算設(shè)備的電源模塊、消費電子產(chǎn)品中的開關(guān)電源等，能夠提供可靠的高頻開關(guān)性能。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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