C1M60120D_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:TO-247 類別:碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝:30/管裝 參數1:電流ID:40A 參數2:電壓VDSS:1200V 參數3:RDON:60mR 參數4:溝道類型:N 標價:歡迎咨詢
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產品介紹
這款碳化硅場效應管(MOSFET)具有40A的連續電流承載能力(ID),最大漏源電壓(VDSS)可達1200伏特,適用于需要高電壓處理能力和良好熱穩定性的電路設計。其導通電阻(RDON)僅為60毫歐姆,在導通狀態下能夠有效降低功耗,提高系統的整體效率。作為一款N溝道類型器件,它能夠在邏輯電平驅動下工作,適合用于高性能開關電源、太陽能逆變器以及其他要求嚴苛的電力轉換應用中,提供快速的開關響應與可靠的性能表現。
