PMV37EN2R_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:SOT-23 類別:場效應管(MOSFET) 最小包裝:3000/圓盤 參數1:電流ID:4A 參數2:電壓VDSS:30V 參數3:RDON:29mR 參數4:溝道類型:N 標價:歡迎咨詢
分享到
產品介紹
該款N溝道場效應管(MOSFET)設計緊湊,提供3.2A的連續排水電流(ID/A),適用于多種電子設備中的負載開關或電源路徑控制。其最大漏源電壓(VDSS)為30V,適用于需要較高電壓耐受性的應用環境。導通電阻(RDSON)僅為30毫歐,有助于減少發熱并提高效率。柵源電壓(VGS)為12V,確保了可靠的導通性能。此MOSFET適合用于消費電子產品的電源管理模塊,例如在電池供電設備中的電流調節或在通信設備中的電源轉換環節。
