PMV37EN2R_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數1：電流ID:4A 參數2：電壓VDSS:30V 參數3：RDON:29mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該款N溝道場效應管（MOSFET）設計緊湊，提供3.2A的連續排水電流（ID/A），適用于多種電子設備中的負載開關或電源路徑控制。其最大漏源電壓（VDSS）為30V，適用于需要較高電壓耐受性的應用環境。導通電阻（RDSON）僅為30毫歐，有助于減少發熱并提高效率。柵源電壓（VGS）為12V，確保了可靠的導通性能。此MOSFET適合用于消費電子產品的電源管理模塊，例如在電池供電設備中的電流調節或在通信設備中的電源轉換環節。
