C3M0021120K_TO-247H-4L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:TO-247H-4L 類別:碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝:30/管裝 參數1:電流ID:100A 參數2:電壓VDSS:1200V 參數3:RDON:21mR 參數4:溝道類型:N 標價:歡迎咨詢
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產品介紹
該款N溝道碳化硅場效應管(MOSFET)設計有100A的額定電流(ID),可承受最大1200V的漏源電壓(VDSS)。其顯著特點是擁有低至21毫歐的導通電阻(RDON),這有助于大幅度減少電力損耗,增強系統效率。此元件適用于多種高頻率開關應用場合,比如便攜式電子設備的充電解決方案,或是服務器端的電源供應單元,均能體現出其在高壓高頻環境下的優良表現。
