C3M0021120K_TO-247H-4L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247H-4L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：電流ID:100A 參數2：電壓VDSS:1200V 參數3：RDON:21mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該款N溝道碳化硅場效應管（MOSFET）設計有100A的額定電流（ID），可承受最大1200V的漏源電壓（VDSS）。其顯著特點是擁有低至21毫歐的導通電阻（RDON），這有助于大幅度減少電力損耗，增強系統效率。此元件適用于多種高頻率開關應用場合，比如便攜式電子設備的充電解決方案，或是服務器端的電源供應單元，均能體現出其在高壓高頻環境下的優良表現。
