IMW120R090M1HXKSA1_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：電流ID:32A 參數(shù)2：電壓VDSS:1200V 參數(shù)3：RDON:75mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該款碳化硅場效應管（MOSFET）為N溝道設計，其最大工作電流（ID/A）可達32A，適用于多種電子電路中的電流控制。器件擁有1200V的最大漏源電壓（VDSS/V），適用于需要高耐壓的應用場景。導通狀態(tài)下，其漏源電阻（RDSON/mR）為75毫歐，有效降低了導通時的功耗。柵源電壓（VGS/V）為±15V，便于實現(xiàn)精確的驅動控制。此MOSFET適用于構建高效的開關電源轉換器和其他注重高性能與可靠性的電子產(chǎn)品。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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