2SJ598-ZK-E1-AZ_TO-252-2L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：電流ID:10A 參數(shù)2：電壓VDSS:60V 參數(shù)3：RDON:125mR 參數(shù)4：溝道類型:P 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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此款P溝道場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）具有良好的電氣性能，適用于多種電子設(shè)備。其最大連續(xù)漏極電流可達(dá)10A，能夠滿足較高功率需求的應(yīng)用；最大漏源電壓為60V，確保在較寬的電壓范圍內(nèi)穩(wěn)定工作；導(dǎo)通電阻為125mΩ，有助于控制功耗并提高效率；柵源電壓范圍達(dá)到20V，提供廣泛的驅(qū)動(dòng)兼容性。這款MOSFET適合用于電源管理、開關(guān)電路以及需要可靠性和效率的消費(fèi)電子產(chǎn)品中。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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