NP23N06YDG-E1-AY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：電流ID:30A 參數2：電壓VDSS:60V 參數3：RDON:20mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
這款N溝道場效應管（MOSFET）具備30安培的最大連續漏極電流（ID）和60伏的漏源擊穿電壓（VDSS），適用于需要高電流處理能力和穩定電壓性能的電路設計。其超低導通電阻（RDON）僅為20毫歐，有效減少了大電流工作時的能量損耗與發熱現象。該元件的柵源閾值電壓（VGS）為20伏，確保了在高電壓條件下的良好驅動特性。此MOSFET特別適合用于電源管理、信號調節以及各種需要高效開關操作和最小化能量損失的應用場景中。
