SQ2301ES-T1_GE3_SOT-23_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：SOT-23 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:2.3A 參數(shù)2：電壓VDSS:20V 參數(shù)3：RDON:120mR 參數(shù)4：溝道類型:P 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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這款P溝道場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）具有20V的漏源擊穿電壓（VDSS），能夠承受最高12V的柵源電壓（VGS）。其導(dǎo)通電阻（RDSON）僅為0.12Ω，在2.3A的電流下表現(xiàn)優(yōu)異。此MOSFET適用于設(shè)計(jì)要求低損耗、高效率的應(yīng)用中，如便攜式電子產(chǎn)品中的電源管理或消費(fèi)類設(shè)備的信號(hào)開(kāi)關(guān)等場(chǎng)合。其特性使其成為對(duì)功率密度敏感設(shè)計(jì)的理想選擇。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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