NTR5103NT1G_SOT-23_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:0.3A 參數(shù)2：電壓VDSS:60V 參數(shù)3：RDON:1000mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
這款N溝道場效應(yīng)管（MOSFET）具有0.3A的連續(xù)漏極電流承載能力，最大漏源電壓VDSS達到60V，適用于需要較高電壓操作的應(yīng)用場景。其導通電阻RDON為1000毫歐，在20V的柵源電壓VGS條件下，雖然較高的RDON可能增加功率損耗，但此器件依然適合對尺寸敏感或低功耗要求不苛刻的電路設(shè)計。該MOSFET可用于電源管理、電池供電設(shè)備以及各種便攜式電子裝置中的開關(guān)控制，確保在有限空間內(nèi)實現(xiàn)高效能和穩(wěn)定性能。此外，它也適用于要求精準電流控制和快速響應(yīng)特性的應(yīng)用中。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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