SI4155DY-T1-GE3_SOP-8_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:12A 參數(shù)2：電壓VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:10mR 參數(shù)4：溝道類型:P 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該P(yáng)溝道場效應(yīng)管(MOSFET)具備良好的導(dǎo)電性能，最大漏極電流可達(dá)12A，能夠承受的最大漏源電壓為30V。其低至10mΩ的導(dǎo)通電阻有助于減少功耗和發(fā)熱，保證了高效運(yùn)行。柵源電壓范圍在20V內(nèi)，適用于各種需要精確控制與快速開關(guān)的應(yīng)用場景，如電源管理、負(fù)載切換及信號放大等。這款MOSFET結(jié)合了緊湊設(shè)計與高可靠性特點(diǎn)，是電子設(shè)備中理想的開關(guān)元件選擇。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
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