SQ7415AEN-T1_GE3_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:DFN3X3-8L 類別:場效應管(MOSFET) 最小包裝:5000/圓盤 參數1:電流ID:20A 參數2:電壓VDSS:60V 參數3:RDON:55mR 參數4:溝道類型:P 標價:歡迎咨詢
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產品介紹
這款P溝道場效應管(MOSFET)具備20安培的最大持續漏極電流(ID)和60伏的漏源極擊穿電壓(VDSS),適用于多種高要求電路設計。其導通電阻(RDS(on))低至55毫歐,在確保高效性能的同時,減少了發熱問題。柵源極閾值電壓(VGS)為20伏,保證了穩定的開關特性。該元件在電源管理、信號調節等應用中表現出色,能夠實現精準的電流控制和快速響應,適合用作高效的開關器件或放大器。
