SIR804DP-T1-GE3_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：電流ID:80A 參數2：電壓VDSS:30V 參數3：RDON:4.7mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
這款N溝道場效應管（MOSFET）專為高效能電路設計，提供連續漏極電流ID達80安培，最大漏源電壓VDSS為30伏特，確保穩定運行于不同的電壓環境。其導通電阻RDON低至4.7毫歐，有助于減少高電流通過時的功率損耗，提高轉換效率。柵源電壓VGS額定20伏特，提供了廣泛的驅動兼容性。此元件適用于構建開關電源、電信設備以及消費類電子產品的核心電路，支持精確電流控制和快速切換功能，是實現緊湊且高效電力管理系統的關鍵組件。
