NVATS4A103PZT4G_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：電流ID:50A 參數2：電壓VDSS:30V 參數3：RDON:9.5mR 參數4：溝道類型:P 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
此款P溝道場效應管（MOSFET）具備出色的電氣性能，其最大漏極電流（ID/A）可達50A，最大漏源電壓（VDSS/V）為30V，導通電阻（RDON/mR）僅為9.5mΩ，且支持的最大柵源電壓（VGS/V）為20V。該元件適用于需要高效能開關操作的應用場合，如電源管理、電池保護電路以及各種便攜式電子設備中的信號處理等，能夠確保在高頻率和大電流條件下穩定運行，同時降低能耗，提高系統效率。
