MMBF170LT1G_SOT-23_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:0.3A 參數(shù)2：電壓VDSS:60V 參數(shù)3：RDON:1000mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價：歡迎咨詢
分享到
產(chǎn)品介紹
這款N溝道場效應(yīng)管（MOSFET）具備出色的電氣性能，其最大漏極電流ID可達0.3A，耐壓值VDSS高達60V，確保了在高電壓環(huán)境下的穩(wěn)定工作。導(dǎo)通電阻RDSON僅為1000mΩ，在降低功耗的同時提高了效率。該MOSFET的柵源電壓VGS范圍為20V，支持高效能的開關(guān)操作。適用于需要精準電流控制與轉(zhuǎn)換效率的應(yīng)用場合，如電源管理、信號放大及各類電子設(shè)備中的開關(guān)功能。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
高新企業(yè)
