C3M0075120J_TO-263-7L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-263-7L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：800/圓盤 參數1：電流ID:30A 參數2：電壓VDSS:1200V 參數3：RDON:75mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
此款N溝道碳化硅場效應管（MOSFET）專為高性能應用設計，具有30A的連續漏極電流(ID)能力和1200V的漏源擊穿電壓(VDSS)，確保在高壓環境下表現出色。其低導通電阻(RDON)僅為75毫歐姆，有助于減少能量損耗，提高效率。該器件支持-4/!8V的柵源電壓(VGS)，適用于需要快速開關和高效能的場合。憑借其卓越的熱穩定性和耐用性，這款MOSFET非常適合用于構建可靠且高效的電力電子系統，如電源轉換器和逆變器等設備中。
