HSI2309A_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數1：電流ID:2A 參數2：電壓VDSS:60V 參數3：RDON:160mR 參數4：溝道類型:P 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
此款P溝道場效應管(MOSFET)具有2A的漏極電流(ID)能力和60V的漏源擊穿電壓(VDSS)，適用于低壓應用環境。其導通電阻(RDON)為160毫歐(mR)，保證了在導通狀態下的低能耗。柵源電壓(VGS)額定值為20V，確保了器件在各種操作條件下的穩定性與可靠性。該MOSFET以其低導通電阻和快速開關特性，非常適合應用于電池供電設備及需要高效電源管理的電路中，滿足對能效和空間布局有嚴格要求的設計需求。
