HC3M0075120J_TO-263-7L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-263-7L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：800/圓盤 參數(shù)1：電流ID:30A 參數(shù)2：電壓VDSS:1200V 參數(shù)3：RDON:75mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
此款N溝道碳化硅場效應管（MOSFET）專為高性能應用設計，具有30A的連續(xù)漏極電流(ID)能力和1200V的漏源擊穿電壓(VDSS)，確保在高壓環(huán)境下表現(xiàn)出色。其低導通電阻(RDON)僅為75毫歐姆，有助于減少能量損耗，提高效率。該器件支持-4/!8V的柵源電壓(VGS)，適用于需要快速開關和高效能的場合。憑借其卓越的熱穩(wěn)定性和耐用性，這款MOSFET非常適合用于構建可靠且高效的電力電子系統(tǒng)，如電源轉換器和逆變器等設備中。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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