CMS120N080B-HXY_TO-263-7L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-263-7L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：800/圓盤 參數1：電流ID:30A 參數2：電壓VDSS:1200V 參數3：RDON:75mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
ID:30A是一款N溝道碳化硅場效應管(MOSFET)，具備1200V的漏源擊穿電壓(VDSS)，適用于高效能電力轉換應用。其導通電阻(RDON)為75毫歐姆，確保了在高電壓條件下的低能量損耗和高效率。柵極-源極電壓(VGS)范圍從-4V到!8V，保證了操作的靈活性與穩定性。該MOSFET憑借其出色的開關特性和耐高溫性能，非常適合用于需要嚴格控制能耗及空間受限的電源管理系統，如高頻開關電源等場景中。
