IMBG120R090M1HXTMA1-HXY_TO-263-7L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-263-7L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：800/圓盤 參數1：電流ID:30A 參數2：電壓VDSS:1200V 參數3：RDON:75mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
此款N溝道碳化硅場效應管（MOSFET）型號ID:30A，具備1200V的漏源擊穿電壓VDSS，確保在高電壓環境下的穩定性。其導通電阻RDON為75mΩ，在減少能量損耗方面表現出色，特別適用于高效能電力轉換系統。柵源電壓VGS范圍從-4V到!8V，使得它在各種驅動條件下都能穩定工作。該產品憑借其優異的開關性能和低能耗特性，非常適合應用于高性能電源管理及轉換解決方案中，是提升設備效能的理想選擇。
