HXY50N04DF_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:50A 參數(shù)2：電壓VDSS:40V 參數(shù)3：RDON:7.4mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
此款N溝道場效應管（MOSFET）專為高效能應用設計，具有50A的連續(xù)漏極電流（ID），確保在高負載條件下表現(xiàn)穩(wěn)定。最大漏源電壓（VDSS）達到40V，適合多種電路需求。其低導通電阻（RDON）僅為7.4毫歐，有效減少能量損耗，提升轉(zhuǎn)換效率。柵源電壓（VGS）設定為20V，保證了器件在高壓環(huán)境下的可靠性與穩(wěn)定性。該MOSFET非常適合應用于需要快速開關和高效率的電源管理電路中，是提升系統(tǒng)性能的理想選擇。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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