HXY50N04DF_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：電流ID:50A 參數2：電壓VDSS:40V 參數3：RDON:7.4mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
此款N溝道場效應管（MOSFET）專為高效能應用設計，具有50A的連續漏極電流（ID），確保在高負載條件下表現穩定。最大漏源電壓（VDSS）達到40V，適合多種電路需求。其低導通電阻（RDON）僅為7.4毫歐，有效減少能量損耗，提升轉換效率。柵源電壓（VGS）設定為20V，保證了器件在高壓環境下的可靠性與穩定性。該MOSFET非常適合應用于需要快速開關和高效率的電源管理電路中，是提升系統性能的理想選擇。
