HPMV32UP215_SOT-23_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:5A 參數(shù)2：電壓VDSS:20V 參數(shù)3：RDON:30mR 參數(shù)4：溝道類型:P 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
本款P溝道場效應(yīng)管（MOSFET）具有5A的最大連續(xù)漏極電流（ID）和20V的最大漏源電壓（VDSS）。其導(dǎo)通電阻（RDON）低至30毫歐，可在10V的柵源電壓（VGS）下高效工作。該元件適合應(yīng)用于各種需要精確控制和低功耗的電路中，例如電源轉(zhuǎn)換器、負載開關(guān)及電池管理系統(tǒng)中的信號路徑控制。其優(yōu)秀的電氣特性確保了在復(fù)雜電路環(huán)境下的穩(wěn)定表現(xiàn)。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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