HPMV32UP215_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數1：電流ID:5A 參數2：電壓VDSS:20V 參數3：RDON:30mR 參數4：溝道類型:P 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本款P溝道場效應管（MOSFET）具有5A的最大連續漏極電流（ID）和20V的最大漏源電壓（VDSS）。其導通電阻（RDON）低至30毫歐，可在10V的柵源電壓（VGS）下高效工作。該元件適合應用于各種需要精確控制和低功耗的電路中，例如電源轉換器、負載開關及電池管理系統中的信號路徑控制。其優秀的電氣特性確保了在復雜電路環境下的穩定表現。
