HXY30P03DF_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：/ 參數1：電流ID:30A 參數2：電壓VDSS:30V 參數3：RDON:15mR 參數4：溝道類型:P 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
這款P溝道場效應管（MOSFET）具有30A的漏極電流（ID）能力，適用于需要中等電流處理能力的應用。其最大漏源電壓（VDSS）為30V，能夠滿足多種電子設備的需求。導通電阻（RDON）為15毫歐，雖高于一些N溝道器件，但在P溝道設計中提供了良好的電能效率。柵源電壓（VGS）設定為20V，確保了在指定工作條件下的穩定操作。此款MOSFET非常適合用于電源管理及轉換電路中，提供必要的控制與效率，特別是在對空間和熱設計有要求的應用場景里表現尤為突出。
