HSTD20P3H6AG_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：電流ID:20A 參數2：電壓VDSS:30V 參數3：RDON:36mR 參數4：溝道類型:P 標價：歡迎咨詢
分享到
產品介紹
這款P溝道場效應管（MOSFET）設計用于要求高性能和可靠性的應用。它支持最大漏極電流ID為20A，擁有30V的擊穿電壓VDSS，以及在VGS=25V時僅為36mΩ的導通電阻RDON。這些特性使得該MOSFET特別適合于需要快速開關響應和低損耗的電路設計。無論是電源管理還是信號處理，這款MOSFET都能提供卓越的效率和穩定性，確保在各種應用場景中實現精確控制。
