HNTTFS4939NTAG_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：電流ID:60A 參數2：電壓VDSS:30V 參數3：RDON:4mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
此款N溝道場效應管（MOSFET）具有60A的最大連續漏極電流（ID）和30V的漏源擊穿電壓（VDSS），適合需要大電流承載能力的應用場景。其導通電阻（RDON）僅為4毫歐，能夠在高負載條件下保持較低的功耗，提升整體效率。該MOSFET的柵源電壓（VGS）為±20V，提供了靈活的控制選項。適用于電源轉換、開關控制等電子電路，能夠實現快速、穩定的響應，滿足高性能電子設備的設計要求。
