HBUK721955A118_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：電流ID:50A 參數(shù)2：電壓VDSS:60V 參數(shù)3：RDON:15mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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這款N溝道場效應(yīng)管（MOSFET）擁有強(qiáng)大的電氣參數(shù)，最大漏極電流（ID/A）為50A，最大漏源電壓（VDSS/V）高達(dá)60V，導(dǎo)通電阻（RDON/mR）僅為15mΩ，支持的最大柵源電壓（VGS/V）為20V。該器件適用于需要高效、快速切換的應(yīng)用場景，如電源適配器、充電器以及各類電子設(shè)備中的直流轉(zhuǎn)換電路，可顯著減少功率損耗，提高能源利用效率，同時(shí)保證系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
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