HNTTFS4821NTAG_DFN3X3-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:45A 參數(shù)2：電壓VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:6mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該款N溝道場效應(yīng)管（MOSFET）具備45安培的最大連續(xù)漏極電流和30伏特的漏源極擊穿電壓，確保了其在高功率密度應(yīng)用中的穩(wěn)定表現(xiàn)。其導(dǎo)通電阻僅為6毫歐，在確保高效能的同時(shí)降低了熱損耗。該MOSFET的柵源極電壓范圍為±20伏特，支持廣泛的電路設(shè)計(jì)需求。適用于各種需要高效開關(guān)性能和低功耗的電子產(chǎn)品中，如電源轉(zhuǎn)換、電池管理以及信號調(diào)節(jié)等。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
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