HSNN1000L10D_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：電流ID:20A 參數(shù)2：電壓VDSS:100V 參數(shù)3：RDON:80mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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這款N溝道場效應(yīng)管（MOSFET）具有20A的最大連續(xù)漏極電流（ID）和100V的漏源擊穿電壓（VDSS），能夠承受較高的工作電壓和電流。其導(dǎo)通電阻（RDS(on)）僅為80mΩ，在大電流應(yīng)用中可以有效減少發(fā)熱，提高效率。該MOSFET的柵極閾值電壓（VGS）為20V，確保了在高電壓條件下穩(wěn)定的工作性能。適用于開關(guān)電源、電機(jī)控制等高效率轉(zhuǎn)換場景。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
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