HPK616BA_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：電流ID:80A 參數2：電壓VDSS:30V 參數3：RDON:4.7mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
此款N溝道場效應管（MOSFET）具備出色的電氣性能，其最大漏極電流（ID）可達80A，確保了高負載條件下的穩定運行。該器件的漏源極間電壓（VDSS）為30V，適用于多種電路設計中，能夠承受較高的電壓波動。導通電阻（RDS(on)）低至4.7mΩ，在保證效率的同時減少了熱能損耗。柵源極電壓（VGS）范圍為±20V，提供了寬泛的操作靈活性。此MOSFET適用于電源管理、信號處理等電子設備中的開關或放大功能，能夠有效提升系統的整體性能。
