HPK616BA_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:DFN5X6-8L 類別:場效應管(MOSFET) 最小包裝:5000/圓盤 參數1:電流ID:80A 參數2:電壓VDSS:30V 參數3:RDON:4.7mR 參數4:溝道類型:N 標價:歡迎咨詢
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產品介紹
此款N溝道場效應管(MOSFET)具備出色的電氣性能,其最大漏極電流(ID)可達80A,確保了高負載條件下的穩定運行。該器件的漏源極間電壓(VDSS)為30V,適用于多種電路設計中,能夠承受較高的電壓波動。導通電阻(RDS(on))低至4.7mΩ,在保證效率的同時減少了熱能損耗。柵源極電壓(VGS)范圍為±20V,提供了寬泛的操作靈活性。此MOSFET適用于電源管理、信號處理等電子設備中的開關或放大功能,能夠有效提升系統的整體性能。
