HPPMUT20V3_SOT-323_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-323 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數1：電流ID:1.8A 參數2：電壓VDSS:20V 參數3：RDON:120mR 參數4：溝道類型:P 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
此款P溝道場效應管（MOSFET）具有1.8A的連續漏極電流（ID）和20V的漏源擊穿電壓（VDSS），確保了其在各種電路中的穩定性能。該元件的導通電阻（RDON）僅為120mΩ，在8V柵源電壓（VGS）下工作時，能夠有效減少發熱，提高效率。適用于電源管理、信號切換等應用場合，是實現高效能與小體積設計的理想選擇。
