HNTTFS4C10NTAG_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：電流ID:35A 參數2：電壓VDSS:30V 參數3：RDON:6mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本款N溝道場效應管（MOSFET）擁有35安培的最大連續漏極電流和30伏特的漏源極擊穿電壓，適用于需要高電流承載能力的應用。其導通電阻僅為7.5毫歐，有助于減少工作過程中的能量損失和發熱量，提升系統效率。該MOSFET支持的柵源極電壓范圍為±20伏特，提供了靈活的驅動選項。適用于電源適配器、充電器、開關電源及電子負載等場合，是實現高效能轉換和控制的理想選擇。
