HPMV213SN215_SOT-23_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:2A 參數(shù)2：電壓VDSS:100V 參數(shù)3：RDON:220mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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這款N溝道場效應(yīng)管（MOSFET）擁有2A的最大漏極電流（ID），適合用于要求不高電流的應(yīng)用場合。其漏源極擊穿電壓（VDSS）高達(dá)100V，確保了在高電壓環(huán)境下的可靠工作。導(dǎo)通電阻（RDS(on)）為220mΩ，雖然相對較高，但在低功耗應(yīng)用中仍能保持良好的效率。該器件支持±20V的柵源極電壓（VGS），增強(qiáng)了其在復(fù)雜電路中的適應(yīng)性。此MOSFET可廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中，如電源轉(zhuǎn)換、信號(hào)調(diào)節(jié)等領(lǐng)域，作為開關(guān)或放大元件，能夠滿足多樣化的設(shè)計(jì)需求。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
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