HMCG30N03ATP_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：電流ID:35A 參數2：電壓VDSS:30V 參數3：RDON:6mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
這款N溝道場效應管（MOSFET）具有35A的連續漏極電流能力，最大漏源電壓可達30V，導通電阻僅為7.5mΩ，柵源電壓范圍為±20V。該器件適用于高效能開關應用，如電源管理、電池充電控制和負載切換等場景。其低導通電阻特性有助于減少功率損耗，提高系統效率。同時，緊湊的封裝設計使得它在有限空間內也能靈活部署。
