HRU1L002SNTL_SOT-323_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-323 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:0.1A 參數(shù)2：電壓VDSS:60V 參數(shù)3：RDON:1300mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具有0.1A的最大連續(xù)漏極電流（ID）和60V的漏源擊穿電壓（VDSS），適用于多種低壓、低功耗電路設計。其導通電阻（RDS(on)）為1300毫歐，在確保高效能的同時降低了發(fā)熱風險。該器件的柵極閾值電壓（VGS(th)）范圍為20V，適合用于開關電源、電池管理系統(tǒng)及信號切換等應用中，能夠?qū)崿F(xiàn)快速響應與穩(wěn)定控制。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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