HDMN10H100SK313_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：電流ID:20A 參數(shù)2：電壓VDSS:100V 參數(shù)3：RDON:80mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
這款N溝道場效應(yīng)管（MOSFET）具備20A的最大連續(xù)漏極電流（ID）和100V的漏源擊穿電壓（VDSS），適用于要求高可靠性和大電流承載能力的電路設(shè)計。其導(dǎo)通電阻（RDS(on)）僅為80毫歐，有助于減少能耗并提高效率。該器件支持最高20V的柵源電壓（VGS），保證了在各種工作條件下的穩(wěn)定性能。此MOSFET特別適合用于電源管理、電機驅(qū)動以及信號放大等領(lǐng)域，能夠提供出色的開關(guān)特性和負載控制能力。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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