HBSZ050N03LSG_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:DFN3X3-8L 類別:場效應管(MOSFET) 最小包裝:5000/圓盤 參數1:電流ID:60A 參數2:電壓VDSS:30V 參數3:RDON:4mR 參數4:溝道類型:N 標價:歡迎咨詢
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產品介紹
這款N溝道場效應管(MOSFET)具有60安培的最大連續漏極電流(ID/A),30伏特的漏源極耐壓(VDSS/V),以及僅4毫歐的導通電阻(RDSON/mR)。其柵源電壓(VGS/V)為20伏特,支持更廣泛的驅動電壓范圍,提高了靈活性。此款MOSFET適用于高電流密度要求的電路設計,例如電源供應器、DC-DC轉換器和信號放大等應用場景。其出色的導電性能和耐壓能力,使得在高效率和可靠性方面表現卓越,是高性能電子產品中的理想選擇。
