HSI2318CDST1GE3_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數1：電流ID:5A 參數2：電壓VDSS:40V 參數3：RDON:30mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該款N溝道場效應管（MOSFET）具有出色的電氣特性，適用于廣泛的電路設計中。其最大漏極電流ID可達5A，擊穿電壓VDSS為40V，確保了在高電壓環(huán)境下的穩(wěn)定工作。導通電阻RDON低至30mΩ，在大電流應用中能有效減少發(fā)熱，提高效率。柵源電壓VGS范圍寬至20V，為驅動提供了靈活性。此MOSFET適合用于電源管理、信號切換等精密控制場合，能夠滿足高性能要求。
