HSI2318CDST1GE3_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:SOT-23 類別:場效應管(MOSFET) 最小包裝:3000/圓盤 參數1:電流ID:5A 參數2:電壓VDSS:40V 參數3:RDON:30mR 參數4:溝道類型:N 標價:歡迎咨詢
分享到
產品介紹
該款N溝道場效應管(MOSFET)具有出色的電氣特性,適用于廣泛的電路設計中。其最大漏極電流ID可達5A,擊穿電壓VDSS為40V,確保了在高電壓環(huán)境下的穩(wěn)定工作。導通電阻RDON低至30mΩ,在大電流應用中能有效減少發(fā)熱,提高效率。柵源電壓VGS范圍寬至20V,為驅動提供了靈活性。此MOSFET適合用于電源管理、信號切換等精密控制場合,能夠滿足高性能要求。
