HIPD220N06L3G_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：電流ID:50A 參數2：電壓VDSS:60V 參數3：RDON:15mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
這款N溝道MOSFET具備50A的最大漏極電流(ID)和60V的漏源極斷態電壓(VDSS)，其導通電阻(RDS(on))僅為15毫歐，同時支持最高20V的柵源極電壓(VGS)。這些特點使其非常適合應用于需要處理大電流和高效率轉換的場合，例如電源適配器、電池管理系統及各種電子設備中的開關電源設計。其卓越的性能有助于減少能耗，提高系統整體的可靠性和穩定性。
