HDMP3035LSS13_SOP-8_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數1：電流ID:11A 參數2：電壓VDSS:30V 參數3：RDON:13mR 參數4：溝道類型:P 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本款P溝道MOSFET具有優秀的電氣特性，最大漏極電流(ID)為11A，最高漏源電壓(VDSS)達到30V，導通電阻(RDS(on))低至13mΩ，支持20V的柵源電壓(VGS)。這些特點使其成為電源轉換、電池管理及各類電子設備中理想的選擇，特別適合于要求高效率、低損耗的應用場景。其卓越的性能有助于提升電路的整體表現，確保穩定可靠的工作狀態。
