HNVATS4A104PZT4G_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：電流ID:80A 參數2：電壓VDSS:30V 參數3：RDON:5.5mR 參數4：溝道類型:P 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
這款P溝道MOSFET場效應管，具有80A的連續漏極電流（ID）和30V的最大漏源電壓（VDSS），適用于要求嚴苛的電路設計。其導通電阻僅為5.5mΩ，確保了低功耗和高效能表現。該元件支持最高25V的柵源電壓（VGS），能夠穩定工作于各種電壓環境中。此款MOSFET因其優異的電氣特性，特別適合應用于需要快速開關響應和高效率轉換的電子產品中，如電源管理、信號處理等場景。
