HPMV280ENEA_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數1：電流ID:3A 參數2：電壓VDSS:100V 參數3：RDON:210mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
這款N溝道MOSFET支持高達3A的連續漏極電流和100V的最大漏源電壓，適用于需要較高電壓處理能力的應用場景。其導通電阻為210毫歐姆，有助于降低功耗。柵源電壓范圍達到20V，提供了良好的開關控制性能。該器件非常適合用于消費電子、家用電器等領域中的電源轉換、負載開關及放大電路等用途。
