HIRLR3636TRPBF_TO-252-2L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:TO-252-2L 類別:場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝:2500/圓盤 參數(shù)1:電流ID:80A 參數(shù)2:電壓VDSS:60V 參數(shù)3:RDON:6mR 參數(shù)4:溝道類型:N 標(biāo)價(jià):歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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這款N溝道場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)具備強(qiáng)大的電流處理能力,其最大連續(xù)漏極電流ID可達(dá)80A,適用于高負(fù)載場(chǎng)景。該器件支持最高60V的漏源電壓VDSS,并且擁有僅為6mΩ的低導(dǎo)通電阻RDON,有效降低了工作時(shí)的能量損耗。柵源電壓VGS為20V,確保了良好的驅(qū)動(dòng)性能。由于其優(yōu)異的電氣特性,這款MOSFET非常適合應(yīng)用于需要高效開關(guān)控制的各種電子設(shè)備中,如電源轉(zhuǎn)換器、電池管理系統(tǒng)等,能夠顯著提升系統(tǒng)的整體效率與穩(wěn)定性。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人:張婉儀
- 聯(lián)系電話:18929373249
- 聯(lián)系地址:深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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