HSI2343CDST1GE3_SOT-23_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：SOT-23 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:4.1A 參數(shù)2：電壓VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:48mR 參數(shù)4：溝道類型:P 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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這款P溝道場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)具備4.1A的連續(xù)漏極電流(ID)能力，適用于中等功率需求的應(yīng)用場(chǎng)景。它能承受30V的漏源電壓(VDSS)，并擁有低至48毫歐姆的導(dǎo)通電阻(RDON)，確保了高效的電流傳導(dǎo)同時(shí)減少能量損失。該MOSFET支持最大20V的柵源電壓(VGS)，易于集成到多種電子設(shè)備的設(shè)計(jì)之中。因其優(yōu)秀的電氣性能，特別適合用于消費(fèi)類電子產(chǎn)品、家用電器以及便攜式裝置中的開關(guān)控制和電源管理電路。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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