HNTR4003NT1G_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數1：電流ID:4A 參數2：電壓VDSS:30V 參數3：RDON:29mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
分享到
產品介紹
這款N溝道場效應管(MOSFET)具備4A的漏極電流(ID)能力，漏源擊穿電壓(VDSS)為30V，適用于低壓操作環境。其導通電阻(RDON)低至29毫歐(mR)，有助于減少能量損耗并提高效率。柵源電壓(VGS)額定值為20V，確保了器件在不同工作條件下的穩定性和可靠性。此MOSFET憑借其低導通電阻和快速開關特性，非常適合用于需要高效電源管理和緊湊設計的電子設備中，如便攜式設備和消費電子產品，能夠有效提升整體性能和能效比。
