HNTR4003NT1G_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:SOT-23 類別:場效應管(MOSFET) 最小包裝:3000/圓盤 參數1:電流ID:4A 參數2:電壓VDSS:30V 參數3:RDON:29mR 參數4:溝道類型:N 標價:歡迎咨詢
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產品介紹
這款N溝道場效應管(MOSFET)具備4A的漏極電流(ID)能力,漏源擊穿電壓(VDSS)為30V,適用于低壓操作環境。其導通電阻(RDON)低至29毫歐(mR),有助于減少能量損耗并提高效率。柵源電壓(VGS)額定值為20V,確保了器件在不同工作條件下的穩定性和可靠性。此MOSFET憑借其低導通電阻和快速開關特性,非常適合用于需要高效電源管理和緊湊設計的電子設備中,如便攜式設備和消費電子產品,能夠有效提升整體性能和能效比。
