HFDD5680_TO-252-2L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-252-2L 類(lèi)別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤(pán) 參數(shù)1：電流ID:50A 參數(shù)2：電壓VDSS:60V 參數(shù)3：RDON:11mR 參數(shù)4：溝道類(lèi)型:N 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢(xún)
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產(chǎn)品介紹
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此款N溝道場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）擁有強(qiáng)大的電流承載能力和較低的導(dǎo)通電阻，其連續(xù)漏極電流ID可達(dá)50A，最大漏源電壓VDSS為60V，導(dǎo)通電阻RDON僅為11mΩ，確保了高效能表現(xiàn)。器件支持的柵源極電壓VGS范圍至20V，適用于需要快速開(kāi)關(guān)響應(yīng)和低損耗的應(yīng)用場(chǎng)景。該MOSFET憑借其優(yōu)異的性能，是構(gòu)建高效電源轉(zhuǎn)換器、信號(hào)放大及各類(lèi)電子裝置中不可或缺的關(guān)鍵元件。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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