HFDD5680_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：電流ID:50A 參數2：電壓VDSS:60V 參數3：RDON:11mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
此款N溝道場效應管（MOSFET）擁有強大的電流承載能力和較低的導通電阻，其連續漏極電流ID可達50A，最大漏源電壓VDSS為60V，導通電阻RDON僅為11mΩ，確保了高效能表現。器件支持的柵源極電壓VGS范圍至20V，適用于需要快速開關響應和低損耗的應用場景。該MOSFET憑借其優異的性能，是構建高效電源轉換器、信號放大及各類電子裝置中不可或缺的關鍵元件。
