HNTD2955T4G_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：電流ID:10A 參數2：電壓VDSS:60V 參數3：RDON:125mR 參數4：溝道類型:P 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
這款P溝道場效應管支持10A的連續漏極電流，具備60V的漏源電壓耐受能力。其導通電阻僅為125毫歐姆，有助于減少功率損耗并提高整體效率。柵源電壓范圍達到20V，使得該MOSFET適用于各種電路設計中需要較高電流處理能力和快速開關特性的場合。它非常適合用于消費電子設備中的電源控制、負載切換等應用領域，能夠滿足對性能與可靠性有嚴格要求的設計需求。
